非自耗真空電弧爐KDH-1000技術參數
1)電弧熔煉室：立式圓筒型真空室。
2)冷態(tài)極限真空度：≤6.7x10-4 Pa.
3)熔煉電流：額定電流1000 A.
4)設備加熱溫度：3500~4000℃.
5）熔煉堝有五個工位，三個熔煉合金工位（一個帶電磁攪拌），一個熔煉除氣工位，一個吸鑄工位。
6)熔煉樣品重量（以鐵標定）：1x500克，1x200克，1x100克。
7)熔煉除氣工位（以鐵標定）：1X80克。
8)吸鑄工位（以鐵標定）：1x80克
9)電弧熔煉陰極裝置：引弧方式為高頻和接觸式引弧。
非自耗真空電弧爐KDH-1000是利用等離子體的高溫、高能量和高活性進行金屬材料的熔煉和自然晶體生長。真空電弧加熱方式使用射頻(RF)發(fā)生器產生高頻應用場來引導鋁箔放電，形成電弧及其等離子體。當鋁箔被加熱到其熔點以上時，它流動到集合內靜電場所達到的垂直表面之上，隨即由于放電中所釋放的熱量再次熔融。
非自耗真空電弧爐的加熱功率主要由射頻發(fā)生器和變壓器組成，射頻發(fā)生器可以使鋁箔在等離子工作區(qū)之間發(fā)生放電。而變壓器可以將這些高頻脈沖轉換為更高的直流電壓，用于引導表面放電產生對物料的額外加熱。所以，通過調整射頻發(fā)生器的輸出功率來控制加熱功率。真空度的控制會隨著動態(tài)泵的運轉，電機泵中殘留氣體壓強很弱。再次使用微分和分析兩種傳感器來進行控制。
